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大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 04:40 | 查看全部阅读模式

会议论文《大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真》探讨了大功率P沟道VDMOS器件的结构设计与制造工艺。文章通过仿真分析，优化了器件的关键参数，提高了其导通性能与耐压能力。研究对提升功率半导体器件的性能具有重要意义，为相关领域的技术发展提供了理论支持和实践参考。

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大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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沟道, 学术会议, 集成电路, 半导体, 器件

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