会议论文《基于低温生长n—ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究》介绍了通过低温生长n-ZnO作为电子注入层，提升InGaN黄绿光LED性能的研究。该研究旨在改善器件的电子注入效率和发光效率，具有重要的应用价值。文章在第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，为LED技术发展提供了新的思路。
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