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原位Si3N4 AlGaN_GaN HEMT特性研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 02:03 | 查看全部阅读模式

会议论文《原位Si3N4 AlGaN_GaN HEMT特性研究》探讨了基于原位生长的Si3N4介质层在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）中的应用。研究分析了该结构对器件电学性能、稳定性和可靠性的影响，为高性能射频器件的开发提供了新思路。

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原位Si3N4 AlGaN_GaN HEMT特性研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 原位, 化合物, 十六届, 微波

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