会议论文《宽禁带半导体电力电子器件前景展望》在2010年全国半导体器件技术研讨会上发表，探讨了宽禁带半导体材料在电力电子领域的应用前景。文章分析了氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等材料的优势，以及其在高频、高效功率器件中的潜力。作者指出，随着技术进步，这些器件将在新能源、电动汽车和智能电网等领域发挥重要作用，推动电力电子技术的革新与发展。
文档为pdf格式，0.34MB，总共3页。
举报
