会议论文《凹栅型AlGaN_GaN MOS-HEMT器件的功率特性研究》探讨了新型凹栅结构在AlGaN/GaN MOS-HEMT器件中的应用，分析其在高频和高功率条件下的性能表现。研究结果表明，该结构有效提升了器件的输出功率和效率，为高性能射频器件的发展提供了新思路。
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