基于低温生长n-ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 02:42 | 查看全部阅读模式

本文介绍了基于低温生长n-ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究，旨在提升器件性能。通过优化n-ZnO层的生长条件，有效改善电子注入效率，降低器件工作电压。研究结果表明，该结构显著提高了发光效率和稳定性，为高效黄绿光LED的发展提供了新思路。

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