具有埋层结构的4H—SiC混合PiN_Schottky二极管的研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 01:41 | 查看全部阅读模式

会议论文《具有埋层结构的4H—SiC混合PiN_Schottky二极管的研究》探讨了新型4H—SiC混合二极管的结构设计与性能优化。通过引入埋层结构，该器件有效提升了击穿电压与导通特性，降低了正向压降。研究结果表明，该结构在高频和高温环境下表现出优异的稳定性，为下一代功率电子器件提供了新思路。

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