会议论文《成核层温度对N面GaN外延薄膜质量的影响》探讨了成核层温度在N面GaN外延生长过程中的关键作用。研究通过实验分析不同温度下成核层的结构和性能变化，揭示了温度对薄膜结晶质量、表面形貌及电学特性的影响机制。该成果为优化GaN外延工艺提供了理论依据和技术支持，对提升氮化镓基器件性能具有重要意义。
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