会议论文《双沟道AlGaN_GaN异质结构》发表于第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该文研究了双沟道AlGaN/GaN异质结构的特性，探讨其在高电子迁移率晶体管（HEMT）中的应用潜力。通过优化材料生长工艺，提升了器件性能，为高性能微波器件的发展提供了理论支持和技术参考。
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