从AlGaN_GaN异质结肖特基二极管正向I-V特性中提取势垒高度的方法 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 01:24 | 查看全部阅读模式

本文针对AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的正向I-V特性，提出了一种有效提取势垒高度的方法。通过分析实验数据并结合理论模型，研究者探讨了不同电压区间下的电流行为，从而准确确定势垒高度参数。该方法为优化器件性能提供了重要依据，对提升氮化物半导体器件的设计与应用具有重要意义。

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