会议论文《基于SiC三代半导体技术的T_R组件功率放大电路设计》探讨了第三代半导体材料碳化硅（SiC）在军事微波领域的应用。该文针对T_R组件中的功率放大电路进行了创新设计，提升了系统的效率与可靠性。研究为现代雷达和通信系统提供了高性能的解决方案，具有重要的军事应用价值。
文档为pdf格式，0.22MB，总共4页。
举报
