会议论文《一种新型结构AlGaN_AlN_GaN_InGaN_GaN HEMT优化设计》介绍了基于多层材料的高电子迁移率晶体管（HEMT）结构设计。该研究通过优化各层材料的厚度与组合，提升了器件性能，增强了载流子迁移率和击穿电压。论文为高性能微波器件的发展提供了理论支持和技术参考，适用于高频通信和功率电子领域。
文档为pdf格式，0.18MB，总共4页。
举报
