会议论文《低阻4H—SiC单晶体的生长》发表于第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该文探讨了低电阻4H—SiC单晶的生长技术，分析了影响其电学性能的关键因素。研究对提升SiC器件性能具有重要意义，为高性能功率电子器件的发展提供了理论支持和技术参考。
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