会议论文《利用InGaN做垒对LED多量子阱材料质量及光电性能影响》探讨了InGaN作为垒层在LED多量子阱结构中的作用。研究显示，InGaN垒层能有效改善量子阱的生长质量，提升载流子 confinement 效果，从而增强LED的发光效率和稳定性。该成果为高性能LED器件的设计与制备提供了重要参考。
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