会议论文《基于p-Si_Zn1-xMgxO_n—ZnO异质结发光器件的研究》探讨了新型半导体异质结在发光器件中的应用。该研究通过优化材料结构，提升了器件的发光效率和稳定性。论文针对p-Si与Zn1-xMgxO_n—ZnO异质结的特性进行了深入分析，为未来高效、低成本的光电器件开发提供了理论依据和技术支持。
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