会议论文《关态应力下AlGaN_GaN HEMT的Kink效应研究》探讨了在关态应力条件下，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中Kink效应的产生机制及其对器件性能的影响。研究通过实验分析与理论模拟相结合的方法，揭示了Kink效应与材料缺陷、电场分布及载流子行为之间的关系，为提升器件可靠性提供了重要参考。
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