偏4碳化硅衬底厚膜同质外延生长研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 01:33 | 查看全部阅读模式

会议论文《偏4碳化硅衬底厚膜同质外延生长研究》探讨了在偏4碳化硅衬底上实现厚膜同质外延生长的技术路径与优化方法。该研究针对碳化硅材料在功率电子和光电器件中的应用需求，分析了外延生长过程中的晶体质量、缺陷控制及生长速率等关键因素，为高性能碳化硅器件的制备提供了理论依据和技术支持。

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