基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN_GaN多量子阱结构的材料生长研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 02:28 | 查看全部阅读模式

会议论文《基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN_GaN多量子阱结构的材料生长研究》探讨了在3—5μm波段实现子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长技术。该研究对提升宽禁带半导体器件性能具有重要意义，为红外探测和光电器件的发展提供了理论支持和技术路径。

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