会议论文《65nm MOSFETs fT_fmax影响因素分析及器件版图优化》探讨了65纳米MOSFET器件的特征频率fT和最大振荡频率fmax的影响因素，并提出相应的版图优化方法。文章通过仿真与实验分析，揭示了关键参数如沟道长度、掺杂分布及布局对高频性能的影响，为提升器件性能提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.62MB，总共6页。
举报
