会议论文《4H-SiC P型浮动结构外延生长和器件制备》探讨了4H-SiC材料在P型浮动结构中的外延生长技术及其在器件制备中的应用。文章详细分析了生长参数对材料质量的影响，提出了优化方案以提高晶体质量与性能。研究还展示了基于该结构的器件特性，为高性能功率器件的发展提供了理论支持与实验依据。
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