会议论文《分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜》介绍了通过分子束外延技术在硅基底上制备Ge1-xSnx合金薄膜的研究。该研究探讨了生长条件对薄膜结构和成分的影响,为开发新型半导体材料提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式,0.25MB,总共2页。
举报