分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜 - 第十二届全国固体薄膜会议.pdf

5 0
2026-1-11 01:47 | 查看全部 阅读模式

会议论文《分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜》介绍了通过分子束外延技术在硅基底上制备Ge1-xSnx合金薄膜的研究。该研究探讨了生长条件对薄膜结构和成分的影响,为开发新型半导体材料提供了理论依据和技术支持。

文档为pdf格式,0.25MB,总共2页。

分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜 - 第十二届全国固体薄膜会议
文件大小:
256 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1