会议论文《采用Al 缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN 多晶薄膜》发表于2010年中国材料研讨会，研究了利用Al作为缓冲层在蓝宝石衬底上生长GaN多晶薄膜的方法。该方法有效改善了GaN薄膜的晶体质量，降低了缺陷密度，为高性能氮化镓器件的制备提供了新途径。
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