会议论文《利用CV-MOS工艺研制SOI基的光子器件》介绍了基于CMOS兼容的SOI技术开发光子器件的研究成果。该研究利用CV-MOS工艺，实现了高性能的光子集成器件，为未来硅基光电子学的发展提供了新思路。论文详细阐述了器件结构设计、制备工艺及性能测试，展示了SOI技术在光子集成领域的应用潜力。
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