高密度InAlGaAs_AlGaAs量子点的光致发光性质研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 07:23 | 查看全部 阅读模式

会议论文《高密度InAlGaAs_AlGaAs量子点的光致发光性质研究》探讨了高密度量子点结构的光学特性。通过实验分析,研究者揭示了量子点在不同激发条件下的光致发光行为,为高性能光电器件的设计提供了理论依据。该研究对提升量子点器件的效率和稳定性具有重要意义。

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高密度InAlGaAs_AlGaAs量子点的光致发光性质研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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