会议论文《具有浮动衬底偏压的SOI横向超结器件》探讨了在SOI（硅-on-insulator）技术基础上，通过引入浮动衬底偏压来优化横向超结器件性能的方法。该研究旨在提升器件的击穿电压与导通电阻的平衡，增强其在高压应用中的可靠性与效率。论文针对浮动衬底偏压对器件电场分布和载流子行为的影响进行了深入分析，为高性能功率器件的设计提供了新思路。
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