会议论文《陷阱对GaN HEMT电应力失效影响研究》探讨了GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在电应力作用下的失效机制。研究重点分析了器件中陷阱态对载流子行为的影响，揭示了陷阱在电应力下导致性能退化和可靠性下降的关键作用。该成果为提高GaN HEMT的稳定性和寿命提供了理论依据和技术支持。
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