会议论文《高能电子辐照GaN的光致发光谱研究》探讨了高能电子辐照对GaN材料光致发光特性的影响。通过分析辐照前后光致发光谱的变化，研究揭示了缺陷态和载流子行为的演变规律。该成果为GaN器件在辐射环境下的性能优化提供了理论依据，具有重要的应用价值。
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