高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 07:29 | 查看全部阅读模式

会议论文《高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备》介绍了三种重要化合物半导体材料的单晶衬底制备技术。该研究聚焦于提升材料质量与可重复性，旨在满足高性能微波器件和光电器件的需求。通过优化生长工艺，实现了高纯度、低缺陷的单晶衬底，为后续器件制造提供了可靠基础。

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