会议论文《铝预处理对硅衬底上AlN缓冲层与GaN外延层的影响》探讨了铝预处理工艺对AlN缓冲层及GaN外延层质量的影响。研究结果表明，适当的铝预处理可改善AlN缓冲层的结晶质量，进而提升GaN外延层的性能。该研究为提高氮化物半导体器件的质量和可靠性提供了重要参考。
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