会议论文《干_湿法退火对锗衬底上的HfO2薄膜的影响》探讨了不同退火方法对HfO2薄膜性能的影响。研究结果表明，干法和湿法退火均能改善薄膜的结构和电学特性，但具体效果因工艺条件而异。该研究为锗基半导体器件的制备提供了重要参考。
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