会议论文《采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜》介绍了通过引入Al缓冲层改善GaN在蓝宝石衬底上的生长质量。该研究旨在解决GaN与蓝宝石之间晶格失配和热膨胀系数差异带来的问题，提高薄膜的晶体质量。实验结果表明，Al缓冲层有效促进了GaN的成核和生长，获得了性能更优的多晶薄膜，对氮化物半导体器件的发展具有重要意义。
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