会议论文《反型N_P硅外延层厚度的红外干涉测试方法》介绍了利用红外干涉技术对反型N_P硅外延层厚度进行非破坏性检测的方法。该方法通过分析红外光在材料表面和界面的干涉信号，实现对外延层厚度的精确测量。论文提出了适用于不同材料结构的测试模型，并验证了其在实际生产中的可行性，为半导体器件制造提供了重要的检测手段。
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