反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨 - 四川省电子学会2009年学术年会.pdf

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2026-1-11 14:11 | 查看全部 阅读模式

会议论文《反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨》针对反熔丝技术在FPGA中的应用,研究了不同γ射线剂量率对器件性能的影响。文章通过实验分析了辐射环境下器件的失效机制和参数变化规律,为提高FPGA在强辐射环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持。该研究对于航天、核能等高辐射领域具有重要意义。

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反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨 - 四川省电子学会2009年学术年会
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