会议论文《AlN缓冲层厚度对SiC上外延GaN薄膜晶体质量的影响》发表于第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)。该研究探讨了不同厚度的AlN缓冲层对SiC基GaN外延薄膜晶体质量的影响，通过实验分析表明，适当厚度的AlN缓冲层可有效改善GaN薄膜的结晶质量，降低缺陷密度，从而提升器件性能。研究成果对外延生长技术优化具有重要参考价值。
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