会议论文《新型通孔硅衬底GaN基LED结构的电流扩展分析》发表于第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)。该文针对通孔硅衬底GaN基LED的电流扩展特性进行了深入研究，提出了一种优化结构以改善电流分布，提高器件性能。通过仿真与实验分析，作者验证了该结构在提升发光效率和可靠性方面的有效性，为GaN基LED的发展提供了重要参考。
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