SOI LDMOS功率晶体管自加热分析 - 第11届全国固体薄膜会议.pdf

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2026-1-12 08:03 | 查看全部 阅读模式

会议论文《SOI LDMOS功率晶体管自加热分析》发表于第11届全国固体薄膜会议,探讨了SOI(绝缘体上硅)LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体)功率晶体管在工作过程中的自加热效应。文章通过实验与仿真分析,研究了自加热对器件性能的影响,提出了优化设计的建议,为提高SOI LDMOS的稳定性和可靠性提供了理论依据。

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SOI LDMOS功率晶体管自加热分析 - 第11届全国固体薄膜会议
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