会议论文《MOCVD生长Si基AlGaN_GaN HEMTs研究》发表于第11届全国固体薄膜会议,探讨了基于硅衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的MOCVD生长技术。文章分析了材料结构、界面特性及器件性能,为高性能功率电子器件提供了重要参考。
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