MOCVD生长Si基AlGaN_GaN HEMTs研究 - 第11届全国固体薄膜会议.pdf

6 0
2026-1-12 07:47 | 查看全部 阅读模式

会议论文《MOCVD生长Si基AlGaN_GaN HEMTs研究》发表于第11届全国固体薄膜会议,探讨了基于硅衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的MOCVD生长技术。文章分析了材料结构、界面特性及器件性能,为高性能功率电子器件提供了重要参考。

文档为pdf格式,0.1MB,总共4页。

MOCVD生长Si基AlGaN_GaN HEMTs研究 - 第11届全国固体薄膜会议
文件大小:
102.4 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1