会议论文《Sn含量对低温制备In2O3∶Sn薄膜性能的影响》探讨了不同Sn掺杂比例对In2O3薄膜光电性能的影响。研究通过低温沉积方法制备了不同Sn含量的薄膜，并分析其结构、光学和电学特性。结果表明，适量Sn掺杂可显著改善薄膜的导电性与透光率，为透明导电氧化物材料的开发提供了理论依据和技术支持。
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