会议论文《SOI LDMOS功率晶体管自加热分析》发表于第七届中国纳米科技(西安)研讨会，探讨了SOI LDMOS器件在工作过程中因电流密度分布不均导致的自加热效应。该研究通过仿真与实验相结合的方法，分析了自加热对器件性能和可靠性的影响，为优化器件设计提供了理论依据和技术支持。
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