本文介绍了Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作过程、测量方法及性能比较。通过对比两种结构的响应特性、暗电流和灵敏度，分析了其在紫外探测应用中的优缺点。研究结果表明，Schottky结构具有较低的暗电流和较高的响应速度，而p-i-n结构则表现出更好的光响应性能。该工作为GaN基紫外探测器的设计与优化提供了参考依据。
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