KMC模拟薄膜生长反常效应的研究 - 第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会.pdf

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2026-1-12 07:43 | 查看全部 阅读模式

会议论文《KMC模拟薄膜生长反常效应的研究》在第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会中发表,探讨了基于动力学蒙特卡罗(KMC)方法对薄膜生长过程中出现的反常效应进行模拟与分析。研究揭示了在特定条件下薄膜生长行为与传统理论的偏差,为纳米材料制备提供了新的见解,具有重要的理论和应用价值。

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KMC模拟薄膜生长反常效应的研究 - 第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会
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