GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究进展 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

9 0

2026-1-12 07:36 | 查看全部阅读模式

会议论文《GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究进展》介绍了氮化镓（GaN）基HEMT器件的最新研究动态。文章综述了材料生长、器件结构设计及性能优化等方面的重要成果，重点分析了GaN HEMT在高频、高功率应用中的优势与挑战。同时，探讨了未来发展方向，为相关领域的研究提供了理论支持和实践参考。

文档为pdf格式，0.05MB，总共1页。