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p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 08:20 | 查看全部阅读模式

会议论文《p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质》探讨了通过MOCVD技术制备p型氮掺杂ZnO薄膜的方法及其电学性能。研究分析了不同掺杂浓度对薄膜导电类型和载流子浓度的影响，为实现高效p型ZnO材料提供了实验依据，对光电器件和半导体器件的发展具有重要意义。

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