GeH4和GeF4制备P型微晶硅锗薄膜的研究 - 第十届中国太阳能光伏会议.pdf

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2026-1-12 07:36 | 查看全部 阅读模式

会议论文《GeH4和GeF4制备P型微晶硅锗薄膜的研究》探讨了利用GeH4和GeF4作为掺杂源制备P型微晶硅锗薄膜的工艺。该研究旨在优化薄膜的结构与电学性能,以提升其在光伏器件中的应用潜力。通过实验分析不同气体比例对薄膜特性的影响,为高效太阳能电池的开发提供了理论依据和技术支持。

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GeH4和GeF4制备P型微晶硅锗薄膜的研究 - 第十届中国太阳能光伏会议
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