会议论文《MOCVD方法低温下外延ZnO_Si薄膜及其性质的研究》探讨了采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在低温条件下制备ZnO/Si外延薄膜的工艺与性能。研究分析了薄膜的结构、光学及电学特性，为ZnO基半导体器件在硅基上的应用提供了理论依据和技术支持。
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