会议论文《MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究》探讨了通过MOCVD技术制备Mn掺杂GaN薄膜的工艺及其特性。研究分析了薄膜的晶体结构、成分分布，并评估了其磁学性能。结果表明，Mn的掺杂对GaN的磁性有显著影响，为研制新型稀磁半导体材料提供了理论依据和技术支持。
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