MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:47 | 查看全部阅读模式

会议论文《MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究》探讨了采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在a面蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的工艺及特性。研究重点分析了薄膜的面内各向异性，揭示了不同方向上的晶体质量与物理性质差异，为高性能GaN器件的制备提供了理论依据和技术支持。

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