会议论文《磁隧道结中MgO薄膜厚度与其晶化质量的关系》探讨了MgO薄膜在磁隧道结中的关键作用。研究通过实验分析了不同厚度的MgO层对晶化质量的影响，发现适当厚度能显著提升薄膜的结晶性能。该成果对优化磁存储器件性能具有重要意义，为后续研究提供了理论依据和技术支持。
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