会议论文《垂直式HVPE系统制备GaN的数值模拟及优化》探讨了利用垂直式氢化物气相外延（HVPE）技术生长氮化镓（GaN）的过程。通过数值模拟方法，研究者分析了反应器内的温度分布、气体流动和化学反应动力学，旨在优化生长条件以提高GaN薄膜的质量与均匀性。该研究对提升GaN器件性能具有重要意义。
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