2010年全国半导体器件技术研讨会的会议论文《应用于DRAM的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究》探讨了钛酸锶钡（BST）薄膜在动态随机存取存储器（DRAM）中的应用。该研究通过优化制备工艺，提高了BST薄膜的介电性能和稳定性，为高密度、低功耗的DRAM器件提供了新的材料解决方案。
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